MOSFET IRF510 Canal N 100V-5.6ATO-220
- Product SKU: e7 7x1-1
- Category: Nuevos productos, Transistores
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Stock: 6
IRF510 MOSFET Canal N 100V - 5.6A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-220
- Transistor equivalente a NTE2382
- Transistor Mosfet Canal N
- Voltaje Drain - Source (VDSS): 100V
- Voltaje Drain - Gate (VDGR): 100V
- Voltaje Gate - Source (VGS): ± 20V
- Corriente Drain (ID): 5.6A
- Corriente Pulsada en Drain (IDM): 20A
- Resistencia de Conducción (RDS): 0.54 Ω
- Potencia Máxima Disipada (PD): 43W
IRF510 MOSFET Canal N 100V - 5.6A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-220
- Transistor equivalente a NTE2382
- Transistor Mosfet Canal N
- Voltaje Drain - Source (VDSS): 100V
- Voltaje Drain - Gate (VDGR): 100V
- Voltaje Gate - Source (VGS): ± 20V
- Corriente Drain (ID): 5.6A
- Corriente Pulsada en Drain (IDM): 20A
- Resistencia de Conducción (RDS): 0.54 Ω
- Potencia Máxima Disipada (PD): 43W
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